近年來，業(yè)屆對于只需一顆就可達到相當(dāng)亮度的LED研發(fā)相當(dāng)積極，因此在這一方面的技術(shù)也就落在如何讓LED能夠支持更大的電流。通常30u㎡的LED最大可以驅(qū)動30mA的電流，但是這樣的結(jié)果還是遠遠無法滿足市場的期望，所以目標是需要將10倍以上的電流，導(dǎo)通到LED元件中。因此當(dāng)LED的面積尺寸可以擴充到1m㎡時，那么緊接下來的工作便是如何讓電流值能夠達到350500mA，因為驅(qū)動電壓是3V多，所以就可以有1W的電力能被流進1m㎡的芯片面積。

   而在發(fā)光演色的方面，雖然有這么大的功率輸入到GaNLED中，但是所投入電力的四分之三都無法轉(zhuǎn)換成光而形成熱量，因此LED就會出現(xiàn)過熱的現(xiàn)象，這也會直接影響到LED的演色結(jié)果。因為LED元件的基本特性是，如果溫度上升，發(fā)光效率就會下降以及造成演色性偏差，所以如何有效的釋放大量產(chǎn)生熱量的放熱技術(shù)成為了關(guān)鍵，因此將LED裝在熱傳導(dǎo)率大、熱容量大的材料上就成了相當(dāng)重要的問題，以目前來說大多是使用有價金屬或者陶瓷。
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